碳化硅市場動態(tài)
發(fā)布時間：2022-07-05 01:23:42
第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較于前兩代材料，碳化硅 具有耐高壓、耐高溫、低損耗等優(yōu)越性能，廣泛應(yīng)用于制作高溫、高頻、大功率和 抗輻射電子器件。
碳化硅器件應(yīng)用場景廣闊。因其高熱導(dǎo)性、高擊穿電場強(qiáng)度及高電流密度，基 于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件可應(yīng)用于汽車、充電設(shè)備、便攜式電源、通信設(shè)備、機(jī) 械臂、飛行器等多個工業(yè)領(lǐng)域。其應(yīng)用的范圍也在不斷地普及和深化，是一種應(yīng)用 前景非常廣泛、非常具有價值的材料。
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